ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี GBO25-12NO1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - GBO25-12NO1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - GBO25-12NO1
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1.2 kV | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 12.5 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 4-SIP | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBO |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 1200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 25 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBO25 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS GBO25-12NO1
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | GBO25-12NO1 | GBU403 | KBP202G | VUO120-16NO1 |
| ผู้ผลิต | IXYS | Taiwan Semiconductor Corporation | Diodes Incorporated | IXYS |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 1200 V | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 200 V | 300 µA @ 1600 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1.2 kV | 200 V | 200 V | 1.6 kV |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Box |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Three Phase |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBO25 | - | KBP202 | VUO120 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Chassis Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 12.5 A | 1.1 V @ 4 A | 1.1 V @ 2 A | 1.59 V @ 150 A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 25 A | 4 A | 2 A | 121 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 4-SIP | GBU | KBP | V2-PAK |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBO | 4-ESIP, GBU | 4-SIP, KBP | V2-PAK |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล GBO25-12NO1 PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ GBO25-12NO1 - IXYS
GBU403Taiwan Semiconductor CorporationDIODE BRIDGE 4A 200V GBUKBP202GDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A KBPVUO120-16NO1IXYSBRIDGE RECT 3P 1.6KV 121A V2-PAKGBO25-16NO1IXYSBRIDGE RECT 1P 1.6KV 25A 4SIP
W04G-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A WOG
KBL408EIC SEMICONDUCTOR INC.STD 4A, CASE TYPE: KBL
VUO68-08NO7IXYSBRIDGE RECT 3P 800V 68A ECO-PAC1
DB207-BPMicro Commercial CoInterface
GBPC3506Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A GBPCVUO28-12NO7IXYSBRIDGE RECT 3P 1.2KV 28A ECOPAC1
DF1510S-E3/77Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DFSVUO52-22NO1IXYSBRIDGE RECT 3P 2.2KV 60A V1A-PAK
B4S-E3/80Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1P 400V TO269AA
MB351WDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 100V 35A MB-W
DB25-06Diotec Semiconductor3PH BRIDGE DB 600V 25A
110MT80KBVishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 3PHASE 800V 110A MTK
VUO22-08NO1IXYSBRIDGE RECT 3PHASE 800V 25A V1-AKBP410GDiodes IncorporatedBRIDGE RECTIFIER KBP TUBE 35PCS| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที