ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี GBO25-16NO1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - GBO25-16NO1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - GBO25-16NO1
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1.6 kV | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 12.5 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 4-SIP | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBO |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 1600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 25 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBO25 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS GBO25-16NO1
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | GBO25-16NO1 | GBU1006 | TS6P05G | BU1008A-E3/45 |
| ผู้ผลิต | IXYS | Diodes Incorporated | Taiwan Semiconductor Corporation | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 1600 V | 5 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 5 µA @ 800 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 25 A | 10 A | 6 A | 3 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBO25 | GBU1006 | TS6P05 | BU1008 |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 12.5 A | 1 V @ 5 A | 1.1 V @ 15 A | 1.1 V @ 5 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBO | 4-SIP, GBU | 4-SIP, TS-6P | 4-SIP, BU |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1.6 kV | 600 V | 600 V | 800 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Tube | Tube | Tube |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 4-SIP | GBU | TS-6P | isoCINK+™ BU |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล GBO25-16NO1 PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ GBO25-16NO1 - IXYS
GBU1006Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBUTS6P05GTaiwan Semiconductor CorporationBRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6PBU1008A-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1P 800V 3A BU
DFB2540onsemiBRIDGE RECT 1PHASE 400V 25A TS6P
VUO110-12NO7IXYSBRIDGE RECT 3P 1.2KV 127A PWS-E1
DFL1510S-E3/77Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DFS
MB1505Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 50V 15A MB
MB10SAYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 1A MBSGBO25-12NO1IXYSBRIDGE RECT 1P 1.2KV 25A 4SIP
GBU606SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A GBU
KBPC1510WYangjie TechnologyKBPC-W 1000V 15.0A Diodes BridGBU401SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A GBU
GBPC5010WSURGE50A -1000V - GBPC-W - BRIDGE
APT30DF60HJMicrochip TechnologyBRIDGE RECT 1P 600V 60A SOT227
VS-36MT60Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 3PHASE 600V 35A D-63
DBLS156GTaiwan Semiconductor CorporationBRIDGE RECT 1P 800V 1.5A DBLS
DBF310-13Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A DBFGBPC2506WSURGE25A -600V - GBPC-W - BRIDGE| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที