ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXA70I1200NA
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXA70I1200NA คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXA70I1200NA
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.1V @ 15V, 50A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227B | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 350 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | No | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | PT | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100 µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 A | |
| องค์ประกอบ | Single | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXA70I1200 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXA70I1200NA
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXA70I1200NA | GA200SA60S | APT60GF120JRD | IXA60IF1200NA |
| ผู้ผลิต | IXYS | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Microchip Technology | IXYS |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 600 V | 1200 V | 1200 V |
| อินพุต | Standard | Standard | Standard | Standard |
| องค์ประกอบ | Single | Single | Single | Single |
| ประเภท IGBT | PT | - | NPT | PT |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | - | Tube | Tube |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis, Stud Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227 (ISOTOP®) | SOT-227B |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 350 W | 630 W | 521 W | 290 W |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXA70I1200 | GA200 | APT60 | IXA60IF1200 |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 A | 200 A | 115 A | 88 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100 µA | 1 mA | 500 mA | 100 µA |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.1V @ 15V, 50A | 1.3V @ 15V, 100A | 3.4V @ 15V, 60A | 2.1V @ 15V, 50A |
| กทช Thermistor | No | No | No | No |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IXA70I1200NA PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ IXA70I1200NA - IXYS
IXA20RG1200DHGLAIXYS / Littelfuse
IXA890WJZZQPanasonicGA200SA60SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionIGBT MOD 600V 200A 630W SOT227BIXA851JB1Panasonic
IXA45IF1200HBIXYSIGBT 1200V 78A 325W TO247
IXA297AFZZLSharp MicroelectronicsIXA60IF1200IXYS / LittelfuseIGBT ModuleAPT60GF120JRDMicrochip TechnologyIGBT NPT COMBI 1200V 60A ISOTOPIXA086AFZZLSharp MicroelectronicsIXA60IF1200NAIXYSIGBT MOD 1200V 88A 290W SOT227BIXA063AWZZQSharp MicroelectronicsIXA370WJZZQSharp MicroelectronicsIXA357AFZZLSharp Microelectronics
DF80R12W2H3_B11Infineon TechnologiesIGBT MODULE VCES 1200V 160AIXAD76AWZZSharp MicroelectronicsIXA571WJSharp MicroelectronicsMIXA300PF1200TSFIXYSIGBT MOD 1200V 465A 1500WIXA086Sharp Microelectronics| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที