ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXDI414CI
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXDI414CI คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXDI414CI
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 35V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-5 | |
| ชุด | - | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 22ns, 20ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-5 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ความถี่ขาเข้า | 1 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.8V, 3.5V | |
| ประเภทขาเข้า | Inverting | |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Low-Side | |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 14A, 14A | |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Single | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXDI414 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXDI414CI
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXDI414CI | IXDI602D2TR | IXDI502D1T/R | IXDI414PI |
| ผู้ผลิต | IXYS | IXYS Integrated Circuits Division | IXYS | IXYS |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 14A, 14A | 2A, 2A | 2A, 2A | 14A, 14A |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.8V, 3.5V | 0.8V, 3V | 0.8V, 3V | 0.8V, 3.5V |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| ประเภทขาเข้า | Inverting | Inverting | Inverting | Inverting |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXDI414 | IXDI602 | IXDI502 | IXDI414 |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Low-Side | Low-Side | Low-Side | Low-Side |
| ความถี่ขาเข้า | 1 | 2 | 2 | 1 |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 22ns, 20ns | 7.5ns, 6.5ns | 7.5ns, 6.5ns | 22ns, 20ns |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Single | Independent | Independent | Single |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-5 | 8-VDFN Exposed Pad | 6-VDFN Exposed Pad | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-5 | 8-DFN-EP (5x4) | 6-DFN (4x5) | 8-DIP |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 35V | 4.5V ~ 35V | 4.5V ~ 30V | 4.5V ~ 35V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IXDI414CI PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ IXDI414CI - IXYS
IXDI602D2TRIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFNIXDI502D1T/RIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFNIXDI414PIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIXDI404PIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
IXDI504SIAIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDI404SIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDI404SIAIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXDI414IPIXYS / Littelfuse
IXDH35N60BIXYSIGBT 600V 60A 250W TO247ADIXDI409PIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIXDI504PIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIXDI402PIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIXDI402SIAIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXDI414SIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 14SOICIXDH35N60BD1IXYSIGBT 600V 60A 250W TO247ADIXDI502SIAT/RIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDH30N120D1IXYSIGBT 1200V 60A 300W TO247ADIXDI414SIAIXY| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที