ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXDN614SITR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS Integrated Circuits Division - IXDN614SITR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS Integrated Circuits Division - IXDN614SITR
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 35V | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC-EP | |
ชุด | - | |
เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 25ns, 18ns | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ความถี่ขาเข้า | 1 |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.8V, 3V | |
ประเภทขาเข้า | Non-Inverting | |
ประเภทประตู | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | |
การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Low-Side | |
ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 14A, 14A | |
Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Single | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXDN614 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS Integrated Circuits Division IXDN614SITR
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXDN614SITR | IXDN609YI | IXDN609SI | IXDN609SIA |
ผู้ผลิต | IXYS Integrated Circuits Division | IXYS Integrated Circuits Division | IXYS Integrated Circuits Division | IXYS Integrated Circuits Division |
ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 14A, 14A | 9A, 9A | 9A, 9A | 9A, 9A |
ชุด | - | - | - | - |
Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Single | Single | Single | Single |
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 35V | 4.5V ~ 35V | 4.5V ~ 35V | 4.5V ~ 35V |
การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Low-Side | Low-Side | Low-Side | Low-Side |
แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.8V, 3V | 0.8V, 3V | 0.8V, 3V | 0.8V, 3V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad | TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
ความถี่ขาเข้า | 1 | 1 | 1 | 1 |
ประเภทประตู | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Tube |
เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 25ns, 18ns | 22ns, 15ns | 22ns, 15ns | 22ns, 15ns |
ประเภทขาเข้า | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC-EP | TO-263-5 | 8-SOIC-EP | 8-SOIC |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXDN614 | IXDN609 | IXDN609 | IXDN609 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IXDN614SITR PDF และเอกสาร IXYS Integrated Circuits Division สำหรับ IXDN614SITR - IXYS Integrated Circuits Division
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที