ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXTH12N100Q
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXTH12N100Q คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXTH12N100Q
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 (IXTH) | |
| ชุด | Q Class | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | - | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 1000 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 12A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTH12 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXTH12N100Q
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXTH12N100Q | IXTH110N25T | IXTH130N10T | IXTH110N10L2 |
| ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTH12 | IXTH110 | IXTH130 | IXTH110 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | - | 24mOhm @ 55A, 10V | 9.1mOhm @ 25A, 10V | 18mOhm @ 500mA, 10V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | 4.5V @ 1mA | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - |
| ชุด | Q Class | Trench | Trench | Linear L2™ |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | - | 694W (Tc) | 360W (Tc) | 600W (Tc) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 12A (Tc) | 110A (Tc) | 130A (Tc) | 110A (Tc) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 1000 V | 250 V | 100 V | 100 V |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
IXTH12N50AIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTH110N25TIXYSMOSFET N-CH 250V 110A TO247IXTH130N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 130A TO247IXTH11N80IXYS / LittelfuseIXTH110N10L2IXYSMOSFET N-CH 100V 110A TO247IXTH130N15TIXYSMOSFET N-CH 150V 130A TO247IXTH11P50IXYSMOSFET P-CH 500V 11A TO247IXTH102N15TIXYSMOSFET N-CH 150V 102A TO247IXTH130N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 130A TO247IXTH102N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 102A TO247IXTH12N80IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTH10N100D2IXYSMOSFET N-CH 1000V 10A TO247IXTH12N120IXYSMOSFET N-CH 1200V 12A TO247IXTH10P50PIXYSMOSFET P-CH 500V 10A TO247IXTH10P60IXYSMOSFET P-CH 600V 10A TO247IXTH12N90IXYSMOSFET N-CH 900V 12A TO247IXTH12N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 12A TO247IXTH12N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 12A TO247-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที