ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXTH12N90
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXTH12N90 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXTH12N90
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 (IXTH) | |
ชุด | MegaMOS™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 6A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 300W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4500 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 170 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 900 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 12A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTH12 |
คุณลักษณะ | ลักษณะ |
---|---|
สถานภาพ RoHS | |
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXTH12N90
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXTH12N90 | IXTH13N80 | IXTH130N15T | IXTH14N80 |
ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 6A, 10V | 800mOhm @ 500mA, 10V | 12mOhm @ 65A, 10V | 700mOhm @ 500mA, 10V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4500 pF @ 25 V | 4500 pF @ 25 V | 9800 pF @ 25 V | 4500 pF @ 25 V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTH12 | IXTH13 | IXTH130 | IXTH14 |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 170 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V | 113 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
ชุด | MegaMOS™ | MegaMOS™ | Trench | MegaMOS™ |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 900 V | 800 V | 150 V | 800 V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 1mA | 4.5V @ 250µA |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 12A (Tc) | 13A (Tc) | 130A (Tc) | 14A (Tc) |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±30V | ±20V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 300W (Tc) | 300W (Tc) | 750W (Tc) | 300W (Tc) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IXTH12N90 PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ IXTH12N90 - IXYS
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที