ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXTH96N25T
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXTH96N25T คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXTH96N25T
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 1mA | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 (IXTH) | |
ชุด | Trench | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 500mA, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 625W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 6100 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 114 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 250 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 96A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTH96 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXTH96N25T
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXTH96N25T | IXTH86N25T | IXTH76N25T | IXTK102N30P |
ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
ชุด | Trench | Trench | Trench | Polar |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 500mA, 10V | 37mOhm @ 43A, 10V | 39mOhm @ 500mA, 10V | 33mOhm @ 500mA, 10V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 114 nC @ 10 V | 105 nC @ 10 V | 92 nC @ 10 V | 224 nC @ 10 V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 96A (Tc) | 86A (Tc) | 76A (Tc) | 102A (Tc) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-264-3, TO-264AA |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 1mA | 5V @ 1mA | 5V @ 1mA | 5V @ 500µA |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 6100 pF @ 25 V | 5330 pF @ 25 V | 4500 pF @ 25 V | 7500 pF @ 25 V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±30V | ±30V | ±20V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 250 V | 250 V | 250 V | 300 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 625W (Tc) | 540W (Ta) | 460W (Tc) | 700W (Tc) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) | TO-264 (IXTK) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTH96 | IXTH86 | IXTH76 | IXTK102 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IXTH96N25T PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ IXTH96N25T - IXYS
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที