ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXTK100N25P
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXTK100N25P คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXTK100N25P
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-264 (IXTK) | |
ชุด | Polar | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 500mA, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 600W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-264-3, TO-264AA | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 6300 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 185 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 250 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 100A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTK100 |
คุณลักษณะ | ลักษณะ |
---|---|
สถานภาพ RoHS | |
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXTK100N25P
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXTK100N25P | IXTK120N25 | IXTK110N20L2 | IXTK102N30P |
ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 100A (Tc) | 120A (Tc) | 110A (Tc) | 102A (Tc) |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 185 nC @ 10 V | 360 nC @ 10 V | 500 nC @ 10 V | 224 nC @ 10 V |
ชุด | Polar | MegaMOS™ | Linear L2™ | Polar |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 250 V | 250 V | 200 V | 300 V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 6300 pF @ 25 V | 7700 pF @ 25 V | 23000 pF @ 25 V | 7500 pF @ 25 V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTK100 | IXTK120 | IXTK110 | IXTK102 |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 500mA, 10V | 20mOhm @ 500mA, 10V | 24mOhm @ 55A, 10V | 33mOhm @ 500mA, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 600W (Tc) | 730W (Tc) | 960W (Tc) | 700W (Tc) |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-264 (IXTK) | TO-264 (IXTK) | TO-264 (IXTK) | TO-264 (IXTK) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 3mA | 5V @ 500µA |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IXTK100N25P PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ IXTK100N25P - IXYS
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที