ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXTQ54N30T
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXTQ54N30T คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXTQ54N30T
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P | |
| ชุด | Trench | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | - | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 300 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 54A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTQ54 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXTQ54N30T
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXTQ54N30T | IXTQ50N25T | IXTQ460P2 | IXTQ52N30P |
| ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | - | 400W (Tc) | 480W (Tc) | 400W (Tc) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P | TO-3P | TO-3P | TO-3P |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ชุด | Trench | Trench | PolarP2™ | Polar |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | - | 60mOhm @ 25A, 10V | 270mOhm @ 12A, 10V | 66mOhm @ 26A, 10V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | 5V @ 1mA | 4.5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTQ54 | IXTQ50 | IXTQ460 | IXTQ52 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 54A (Tc) | 50A (Tc) | 24A (Tc) | 52A (Tc) |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 300 V | 250 V | 500 V | 300 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
IXTQ50N25TIXYSMOSFET N-CH 250V 50A TO3PIXTQ460P2IXYSMOSFET N-CH 500V 24A TO3PIXTQ52N30PIXYSMOSFET N-CH 300V 52A TO3PIXTQ62N15PIXYSMOSFET N-CH 150V 62A TO3PIXTQ50N28TIXYS / LittelfuseIXTQ74N20PIXYSMOSFET N-CH 200V 74A TO3PIXTQ44N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 44A TO3PIXTQ48N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 48A TO3PIXTQ69N30PIXYSMOSFET N-CH 300V 69A TO3PIXTQ76N25TIXYSMOSFET N-CH 250V 76A TO3PIXTQ72N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 72A TO3PIXTQ50N20PIXYSMOSFET N-CH 200V 50A TO3PIXTQ480P2IXYSMOSFET N-CH 500V 52A TO3PIXTQ60N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 60A TO3PIXTQ75N10PIXYSMOSFET N-CH 100V 75A TO3PIXTQ64N25PIXYSMOSFET N-CH 250V 64A TO3PIXTQ42N25PIXYSMOSFET N-CH 250V 42A TO3PIXTQ60N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 60A TO3P| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที