ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SCS230KE2C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - SCS230KE2C คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - SCS230KE2C
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.6 V @ 15 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 300 µA @ 1200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 15A (DC) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SCS230 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor SCS230KE2C
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SCS230KE2C | SCS220KE2HRC | SCS220KE2C | SCS240AE2C |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | 650 V | 1200 V | 650 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns | - | 0 ns | 0 ns |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.6 V @ 15 A | 1.55 V @ 10 A | 1.6 V @ 10 A | 1.55 V @ 20 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 300 µA @ 1200 V | 200 µA @ 600 V | 200 µA @ 1200 V | 400 µA @ 600 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 15A (DC) | 10A (DC) | 10A (DC) | 20A (DC) |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| ชุด | - | Automotive, AEC-Q101 | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bulk | Bulk |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | TO-247 | TO-247 | TO-247 |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SCS230 | SCS220 | SCS220 | SCS240 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SCS230KE2C PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ SCS230KE2C - Rohm Semiconductor
SCS230KE2ALAPIS TechnologySCS302AHGC9Rohm SemiconductorDIODE SIC 650V 2.15A TO220ACPSCS220KE2HRCRohm SemiconductorDIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247SCS240P-CSECOSSCS2HA0.1A-AMITSUBISHIIGBT ModuleSCS220P-CSECOSSCS240KE2LAPIS TechnologySCS220KE2CRohm SemiconductorDIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247SCS220KGCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO220ACSCS220KE2LAPIS TechnologySCS230AE2CZLAPIS TechnologySCS220KGHRCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO220ACSCS240PSECOSSCS240AE2CRohm SemiconductorDIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247SCS240KE2CRohm SemiconductorDIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247SCS230AE2CRohm SemiconductorDIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247SCS240AE2LAPIS TechnologySCS304AHGC9Rohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 4A TO220ACP| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที