ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SCS220KE2HRC
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - SCS220KE2HRC คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - SCS220KE2HRC
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.55 V @ 10 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 650 V | |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 10A (DC) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SCS220 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor SCS220KE2HRC
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SCS220KE2HRC | SCS230KE2C | SCS230AE2C | SCS220KE2C |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SCS220 | SCS230 | SCS230 | SCS220 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 650 V | 1200 V | 650 V | 1200 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.55 V @ 10 A | 1.6 V @ 15 A | 1.55 V @ 15 A | 1.6 V @ 10 A |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | TO-247 | TO-247 | TO-247 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 10A (DC) | 15A (DC) | 15A (DC) | 10A (DC) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 600 V | 300 µA @ 1200 V | 300 µA @ 600 V | 200 µA @ 1200 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SCS220KE2HRC PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ SCS220KE2HRC - Rohm Semiconductor
SCS220AJHRTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 20A TO263ABSCS220AGHRCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACSCS230AE2CZLAPIS TechnologySCS220AMCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 20A TO220FMSCS220KE2LAPIS TechnologySCS230KE2CRohm SemiconductorDIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247SCS240AE2LAPIS TechnologySCS220KGHRCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO220ACSCS220AG CLAPIS TechnologySCS230AE2CRohm SemiconductorDIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247SCS220AGCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACSCS220KE2CRohm SemiconductorDIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247SCS220AGHRLAPIS TechnologySCS220P-CSECOSSCS240AE2CRohm SemiconductorDIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247SCS220KGCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO220ACSCS220AJTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 20A TO263ABSCS220AMLAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที