ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี UMR11NTR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - UMR11NTR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - UMR11NTR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 100 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | UMD6 | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 2 Pair CA + CC | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 70 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | UMR11 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor UMR11NTR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | UMR11NTR | SBR10100CTFP | MBR10100CTP | MBRT300200 |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Diodes Incorporated | SMC Diode Solutions | GeneSiC Semiconductor |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 100 mA | 800 mV @ 5 A | 850 mV @ 5 A | 920 mV @ 150 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | UMR11 | SBR10100 | MBR1010 | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 70 V | 100 µA @ 100 V | 1 mA @ 100 V | 1 mA @ 200 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | 100 V | 100 V | 200 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Bulk |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100mA | 5A | - | 150A |
| การกำหนดค่าไดโอด | 2 Pair CA + CC | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ชุด | - | SBR® | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | UMD6 | ITO-220AB | TO-220AB | Three Tower |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Chassis Mount |
| เทคโนโลยี | Standard | Super Barrier | Schottky | Schottky |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 | Three Tower |
SBR10100CTFPDiodes IncorporatedDIODE ARRAY SBR 100V 5A ITO220ABMBR10100CTPSMC Diode SolutionsDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
UMR11NLAPIS TechnologyUMR12NFHTNLAPIS Technology
UMR12NSemitehelecMBRT300200GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 150A 3 TOWER
F1892RD1400Sensata-CrydomDIODE MODULE 1.4KV 90A
UMR325AC7106KM-PTaiyo YudenCAP CER 10UF 50V X7S 1210
84CNQ035SMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 35V 40A PRM2
BAV99QAZNexperia USA Inc.DIODE HS SW 90V 170MA SOT1215
LXA12T600CPower IntegrationsDIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO220
SS6P4CHM3/86AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO277A440CMQ030SMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 30V 220A PRM4UMR325B7105KN-TTAIYO
MBRF745onsemiDIODE SCHOTTKY 45V 7.5A 2PIN(2+TUMR12NTNRohm SemiconductorDIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
STPS10170CB-TRSTMicroelectronicsDIODE ARRAY SCHOTTKY 170V DPAKUMR12 N TNLAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที