ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N1190
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N1190 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N1190
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.4 V @ 110 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-203AB (DO-5) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1190 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N1190
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N1190 | 1N1189R | 1N1189R | 1N1190A |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology | Solid State Inc. |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Box |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 500 V | 600 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-203AB (DO-5) | DO-5 | DO-203AB (DO-5) | DO-5 |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1190 | 1N1189R | 1N1189 | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35A | 35A | 40A | 40A |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.4 V @ 110 A | 1.2 V @ 35 A | 1.19 V @ 90 A | 1.19 V @ 90 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 500 V | 10 µA @ 600 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N1190 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N1190 - Microchip Technology
1N1189RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 600V 35A DO51N1189RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1190ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 40A DO51N1190CIRIGBT Module1N1189ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 500V 40A DO51N1190ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1190AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 40A DO51N1189RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 500V 40A DO51N1190Solid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 40A DO51N1189RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 500V 40A DO51N1190ARGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 600V 40A DO51N1190AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1189CIRIGBT Module1N1189ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1189AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1190RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1190RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 600V 40A DO51N1190GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 35A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที