ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N1190R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N1190R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N1190R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.19 V @ 90 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 40A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | Vendor Undefined |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N1190R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N1190R | 1N1192 | 1N1190A | 1N1191R |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Microchip Technology | Solid State Inc. |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 40A | 12A | 40A | 12A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.19 V @ 90 A | 1.2 V @ 30 A | 1.19 V @ 90 A | 1.2 V @ 30 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | DO-4 | DO-203AB (DO-5) | DO-4 |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | - | 10 µA @ 600 V | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Box | Bulk | Box |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | - | 600 V | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N1190R PDF และเอกสาร Solid State Inc. สำหรับ 1N1190R - Solid State Inc.
1N1192Solid State Inc.DIODE GEN PURP 12A DO41N1190AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1191RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 12A DO4
1N1190GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 35A DO51N1190ARGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 600V 40A DO51N1191Solid State Inc.DIODE GEN PURP 12A DO41N1191Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1190RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 12A DO41N1190Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1190ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1191AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1190Solid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 40A DO51N1191ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 12A DO41N1190RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N1190CIRIGBT Module1N1190ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 40A DO51N1190AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 40A DO51N1190RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที