ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N1304
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N1304 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N1304
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.19 V @ 90 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 (DO-203AB) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 5 µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 37A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N1304
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N1304 | 1N1306 | 1N1342 | 1N1304R |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Solid State Inc. | Microchip Technology | Solid State Inc. |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 300 V | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 200 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 | DO-4 (DO-203AA) | DO-5 |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Bulk | Box |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.19 V @ 90 A | 1.19 V @ 90 A | 1.3 V @ 30 A | 1.19 V @ 90 A |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 300 V | 100 V | 200 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 37A | 40A | 16A | 40A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 5 µs | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N1304 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N1304 - Microchip Technology
1N1306Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 40A DO51N1342Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1303RMSCIGBT Module1N1304RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO51N1301RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 50V 40A DO5
1N1341RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 50V 16A DO41N1301Solid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 40A DO51N1341Solid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 16A DO41N1302Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 40A DO51N1306RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 300V 40A DO51N1302Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 37A DO51N1303MSCIGBT Module1N1306Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 300V 37A DO51N1304Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 40A DO51N1301Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 37A DO51N1342Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 16A DO41N1341Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 6A DO203AA1N1302RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 40A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที