ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N1302
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N1302 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N1302
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.19 V @ 90 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 40A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N1302
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N1302 | 1N1304 | 1N1302R | 1N1301 |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Solid State Inc. |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 200 V | 100 V | 50 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 50 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | DO-5 | DO-5 | DO-5 |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.19 V @ 90 A | 1.19 V @ 90 A | 1.19 V @ 90 A | 1.19 V @ 90 A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Box | Box | Box |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 40A | 40A | 40A | 40A |
1N1236IRIGBT Module
1N1236BMicrosemiIGBT Module1N1304Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 40A DO51N1302RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 40A DO51N1301Solid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 40A DO51N1303MSCIGBT Module
1N1304Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 37A DO51N1306RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 300V 40A DO51N1236AMicrosemiIGBT Module1N1306Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 300V 37A DO51N1301RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 50V 40A DO51N1304RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO51N1306Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 40A DO51N1301Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 37A DO51N1235RMicrosemiIGBT Module1N1302Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 37A DO51N1303RMSCIGBT Module1N1236RMicrosemiIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที