ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N2156
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N2156 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N2156
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.19 V @ 90 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 (DO-203AB) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 40A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N2156
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N2156 | 1N2159 | 1N2158R | 1N2157R |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Solid State Inc. |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.19 V @ 90 A | 1.19 V @ 90 A | 1.19 V @ 90 A | 1.19 V @ 90 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 | DO-5 | DO-5 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 500 V | 400 V | 300 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 40A | 40A | 40A | 40A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| ชุด | - | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 500 V | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 300 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Box | Box |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N2156 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N2156 - Microchip Technology
1N2159Solid State Inc.DIODE GEN PURP 500V 40A DO51N2158RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO51N2157RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 300V 40A DO5
1N2153Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 6A1N2158Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 40A DO51N2156Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 40A DO51N2155Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 40A DO51N2156RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO51N2155Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 25A DO51N2154Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 25A DO51N2154Solid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 40A DO51N2159Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 500V 25A DO51N2155RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 40A DO51N2159RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 500V 40A DO5
1N2153RMicrosemiIGBT Module1N2154RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 50V 40A DO51N2158Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 25A DO51N2153AMicrosemiIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที