ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N2282R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N2282R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N2282R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.19 V @ 90 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 300 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 (DO-203AB) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 5 µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 300 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N2282R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N2282R | 1N2280 | 1N2286 | 1N2283 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.19 V @ 90 A | 1.19 V @ 90 A | 1.19 V @ 90 A | 1.19 V @ 90 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 300 V | 10 µA @ 1000 V | 10 µA @ 800 V | 10 µA @ 400 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 (DO-203AB) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 300 V | 1000 V | 800 V | 400 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35A | 6A | 20A | 20A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 5 µs | 5 µs | 5 µs | 5 µs |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N2282R PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N2282R - Microchip Technology
1N2280Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 6A DO51N2286Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 20A DO51N2283Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 20A DO5
1N2280Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 40A DO51N2286Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 40A DO51N2285Solid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 40A DO51N2283Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 40A DO51N2282RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 300V 40A DO51N2282Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 40A DO51N2281Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1.2KV 40A DO51N2285RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 600V 40A DO51N2281RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 1.2KV 40A DO51N2285Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 20A DO51N2280RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 1KV 40A DO51N2279RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 40A DO51N2281Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 1.2KV 6A DO51N2285RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 35A DO51N2282Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 300V 20A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที