ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N2286
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N2286 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N2286
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.19 V @ 90 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 800 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 (DO-203AB) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 5 µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 800 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 20A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N2286
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N2286 | 1N2287R | 1N2282R | 1N2286R |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Solid State Inc. | Microchip Technology | Solid State Inc. |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 5 µs | - | 5 µs | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 20A | 40A | 35A | 40A |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Bulk | Box |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 800 V | 10 µA @ 1000 V | 10 µA @ 300 V | 10 µA @ 800 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 800 V | 1000 V | 300 V | 800 V |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.19 V @ 90 A | 1.19 V @ 90 A | 1.19 V @ 90 A | 1.19 V @ 90 A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N2286 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N2286 - Microchip Technology
1N2287RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 1KV 40A DO51N2282RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 300V 35A DO51N2286RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 40A DO5
1N2362AMicrosemiIGBT Module1N2282RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 300V 40A DO51N2285Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 20A DO51N2282Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 300V 20A DO51N2283Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 20A DO51N2362MicrosemiIGBT Module1N2286Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 40A DO51N2285RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 600V 40A DO51N2285RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 35A DO51N2287RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 1KV 40A DO51N2285Solid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 40A DO51N2287Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 40A DO51N2283Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 40A DO51N2287Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 40A DO51N2286RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 35A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที