ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3173
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N3173 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N3173
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 240 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 900 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AB (DO-9) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AB, DO-9, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 µA @ 900 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 240A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3173 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N3173
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3173 | 1N3175 | 1N3174 | 1N3172 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AB (DO-9) | DO-205AB (DO-9) | DO-205AB (DO-9) | DO-205AB (DO-9) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3173 | 1N3175 | 1N3174 | 1N3172 |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 240 A | 1.25 V @ 240 A | 1.55 V @ 940 A | 1.55 V @ 940 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 900 V | 1200 V | 1000 V | 800 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ชุด | - | - | - | - |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 µA @ 900 V | 75 µA @ 1200 V | 10 mA @ 1000 V | 10 mA @ 800 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 240A | 240A | 300A | 300A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3173 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N3173 - Microchip Technology
1N3175Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3174Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3172Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N3172Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 240A DO9
1N3174Powerex Inc.DIODE STUD MNT 240A 1000V DO-91N3172RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 240A DO91N3173Powerex Inc.DIODE STUD MNT 240A 900V DO-91N3174RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 1KV 240A DO91N3174RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3174Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 240A DO91N3173Solid State Inc.DIODE GEN PURP 900V 240A DO91N3172RPowerex Inc.DIODE STUD MNT 240A 800V DO-91N3175Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1.2KV 240A DO91N3172RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3172Powerex Inc.DIODE STUD MNT 240A 800V DO-91N3174AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3174RPowerex Inc.DIODE STUD MNT 240A 1000V DO-91N3172AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที