ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3174
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N3174 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N3174
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 240 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-9 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AB, DO-9, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 240A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | Vendor Undefined |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N3174
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3174 | 1N3172R | 1N3175 | 1N3174A |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Box | Box | Bulk |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 µA @ 1000 V | 75 µA @ 800 V | 75 µA @ 1200 V | 75 µA @ 1000 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 240A | 240A | 240A | 240A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 240 A | 1.25 V @ 240 A | 1.25 V @ 240 A | 1.25 V @ 240 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | 800 V | 1200 V | 1000 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-9 | DO-9 | DO-9 | DO-205AB (DO-9) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3174 PDF และเอกสาร Solid State Inc. สำหรับ 1N3174 - Solid State Inc.
1N3172RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 240A DO91N3175Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1.2KV 240A DO91N3174AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3173Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3172AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3175Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3173Solid State Inc.DIODE GEN PURP 900V 240A DO91N3174RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3174Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N3173Powerex Inc.DIODE STUD MNT 240A 900V DO-91N3172RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3176Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3176Solid State Inc.DIODE GEN PURP 350V 240A DO9
1N3176AMicrosemiIGBT Module1N3174Powerex Inc.DIODE STUD MNT 240A 1000V DO-91N3172RPowerex Inc.DIODE STUD MNT 240A 800V DO-91N3174RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 1KV 240A DO91N3174RPowerex Inc.DIODE STUD MNT 240A 1000V DO-9| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที