ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3294A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N3294A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N3294A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 800 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AA (DO-8) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 13 mA @ 800 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N3294A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3294A | 1N3293RA | 1N3294AR | 1N3293AR |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Solid State Inc. | Microchip Technology | Powerex Inc. |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 13 mA @ 800 V | 50 µA @ 600 V | 13 mA @ 800 V | 17 mA @ 600 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Bulk | Bulk |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100A | 150A | 100A | 100A |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -40°C ~ 200°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 A | 1.1 V @ 200 A | 1.1 V @ 200 A | 1.5 V @ 100 A |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AA (DO-8) | DO-8 | DO-205AA (DO-8) | DO-205AA (DO-8) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Chassis, Stud Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 800 V | 600 V | 800 V | 600 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3294A PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N3294A - Microchip Technology
1N3293RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 600V 150A DO81N3294ARMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 100A DO205AA1N3293ARPowerex Inc.DIODE GP REV 600V 100A DO205AA
1N3294ARGeneSiC SemiconductorDIODE GP REV 800V 100A DO205AA1N3294ARPowerex Inc.DIODE GP REV 800V 100A DO205AA
1N3294RBMicrosemiIGBT Module
1N3293RVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 100A DO205AA1N3294ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 150A DO81N3294APowerex Inc.DIODE GEN PURP 800V 100A DO205AA1N3293RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3293RBMicrosemiIGBT Module1N3294RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 100A DO81N3294RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 150A DO81N3294AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 800V 100A DO205AA1N3294RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3294Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 100A DO81N3293RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 600V 100A DO81N3294Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที