ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3294R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N3294R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N3294R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.55 V @ 310 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 800 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AA (DO-8) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 mA @ 800 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3294 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N3294R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3294R | 1N3296 | 1N3294R | 1N3294A |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Solid State Inc. | Solid State Inc. | GeneSiC Semiconductor |
| ชุด | - | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 mA @ 800 V | 50 µA @ 1200 V | 50 µA @ 800 V | 13 mA @ 800 V |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AA (DO-8) | DO-8 | DO-8 | DO-205AA (DO-8) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.55 V @ 310 A | 1.2 V @ 200 A | 1.2 V @ 200 A | 1.5 V @ 100 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 800 V | 1200 V | 800 V | 800 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Box | Bulk |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3294 | - | - | 1N3294 |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Chassis, Stud Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -40°C ~ 200°C |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100A | 100A | 100A | 100A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3294R PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N3294R - Microchip Technology
1N3296Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO81N3294RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 100A DO81N3294AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 800V 100A DO205AA1N3294RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 150A DO8
1N3294ARMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 100A DO205AA
1N3294RBMicrosemiIGBT Module1N3294Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3294AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 100A DO205AA1N3294Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 100A DO81N3295Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3294ARGeneSiC SemiconductorDIODE GP REV 800V 100A DO205AA1N3294ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 150A DO81N3296ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO81N3295Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 100A DO8
1N3296APowerex Inc.DIODE GP 1.2KV 100A DO205AA1N3294APowerex Inc.DIODE GEN PURP 800V 100A DO205AA1N3296Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3294ARPowerex Inc.DIODE GP REV 800V 100A DO205AA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที