ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4112-1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N4112-1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N4112-1
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 18 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 mA | |
| ความอดทน | ±5% | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 100 Ohms | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 nA @ 13.7 V |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N4112-1
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4112-1 | 1N4128 | 1N4104 | 1N4056 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW | - | 500 mW | - |
| ชุด | - | * | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 mA | - | 1.1 V @ 200 mA | 1.3 V @ 300 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 nA @ 13.7 V | - | 1 µA @ 7.6 V | 75 µA @ 1000 V |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 100 Ohms | - | 200 Ohms | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | - | DO-204AA, DO-7, Axial | DO-205AB, DO-9, Stud |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | - | Through Hole | Stud Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | -65°C ~ 175°C | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | - | DO-7 | DO-205AB (DO-9) |
| ความอดทน | ±5% | - | ±5% | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 18 V | - | 10 V | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4112-1 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N4112-1 - Microchip Technology
1N4056Microchip TechnologyDIODE GP 1KV 275A DO205AB DO91N4056RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 1KV 275A DO205AB
1N4128RMicrosemiIGBT Module1N412BMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 100A DO205AA1N4137RMicrosemiIGBT Module1N4128AMicrosemiIGBT Module
1N4056RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 1KV 275A DO9
1N4056RPowerex Inc.DIODE GP REV 1KV 275A DO205AB1N4055RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 900V 275A DO91N4069ANDIP1N4056Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 275A DO91N4056Powerex Inc.DIODE GP 1KV 275A DO205AB DO91N4128Microchip TechnologyDIODE ZENER1N4055RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 900V 275A DO205AB1N4136Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 70A DO51N4104Microchip TechnologyDIODE ZENER1N4137Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 70A DO5
1N412BSolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 100A DO8| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที