ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N412B
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N412B คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N412B
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AA (DO-8) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N412B
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N412B | 1N4056R | 1N412B | 1N4138 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Box | Bulk |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 100 V | 75 µA @ 1000 V | 50 µA @ 100 V | 25 µA @ 600 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AA (DO-8) | DO-9 | DO-8 | DO-5 (DO-203AB) |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 A | 1.3 V @ 300 A | 1.2 V @ 200 A | 1.25 V @ 200 A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 1000 V | 100 V | 600 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100A | 275A | 100A | 70A |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N412B PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N412B - Microchip Technology
1N4128AMicrosemiIGBT Module1N4128RMicrosemiIGBT Module1N4128Microchip TechnologyDIODE ZENER
1N4104Microchip TechnologyDIODE ZENER1N4056RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 1KV 275A DO91N4069ANDIP1N412BSolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 100A DO81N4138Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 70A DO51N4056RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 1KV 275A DO205AB1N4137Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 70A DO51N4137RMicrosemiIGBT Module1N413BMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA1N4112-1Microchip TechnologyZENER DIODE1N4136Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 70A DO51N4138RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 600V 70A DO5
1N4056RPowerex Inc.DIODE GP REV 1KV 275A DO205AB1N4138AMicrosemiIGBT Module1N4056Microchip TechnologyDIODE GP 1KV 275A DO205AB DO9| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที