ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5256B
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N5256B คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N5256B
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 30 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 200 mA | |
| ความอดทน | ±5% | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 49 Ohms | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 23 V | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5256 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N5256B
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5256B | 1N5255B | 1N5257B | 1N5255B |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Taiwan Semiconductor Corporation | Microchip Technology | NTE Electronics, Inc |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW | 500 mW | 500 mW | 500 mW |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5256 | 1N5255 | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | DO-35 | DO-35 (DO-204AH) | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 23 V | 100 nA @ 21 V | 100 nA @ 25 V | 100 nA @ 21 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 49 Ohms | 44 Ohms | 58 Ohms | 44 Ohms |
| ความอดทน | ±5% | ±5% | ±5% | ±5% |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C (TJ) | 200°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TA) | -65°C ~ 200°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bag |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 200 mA | 1.1 V @ 200 mA | 1.5 V @ 200 mA | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 30 V | 28 V | 33 V | 28 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5256B PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N5256B - Microchip Technology
1N5255BTaiwan Semiconductor CorporationDO-35, 500MW, 5%, SMALL SIGNAL Z1N5257BMicrochip TechnologyZENER DIODE1N5255BNTE Electronics, IncDIODE ZENER 28V 500MW
1N5256BTRFairchild SemiconductorDIODE ZENER 30V 0.5W 5% UNIDIR
1N5257BonsemiDIODE ZENER 33V 500MW DO351N5256BonsemiDIODE ZENER 30V 500MW DO35
1N5257BSMC Diode SolutionsDIODE ZENER 33V 500MW DO351N5256BFairchild SemiconductorDIODE ZENER 30V 0.5W 5% UNIDIR1N5256BNTE Electronics, IncDIODE ZENER 30V 500MW
1N5256BTRonsemi1N5256 - ZENER DIODE, 30V, 5%, 01N5257BTaiwan Semiconductor CorporationDO-35, 500MW, 5%, SMALL SIGNAL Z1N5259BMicrochip TechnologyDIODE ZENER1N5255BMicrochip TechnologyDIODE ZENER1N5257BNTE Electronics, IncDIODE ZENER 33V 500MW1N5256BTaiwan Semiconductor CorporationDO-35, 500MW, 5%, SMALL SIGNAL Z1N5255BFairchild SemiconductorDIODE ZENER 28V 0.5W 5% UNIDIR
1N5258B-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 36V 500MW DO351N5256BSMC Diode SolutionsDIODE ZENER 30V 500MW DO35| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที