ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5257B
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N5257B คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N5257B
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 33 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 200 mA | |
| ความอดทน | ±5% | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C (TA) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 58 Ohms | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 25 V |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N5257B
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5257B | 1N5259B | 1N5256B | 1N5256B |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | NTE Electronics, Inc | Microchip Technology | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ความอดทน | ±5% | ±0.5% | ±5% | ±5% |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | - | DO-35 (DO-204AH) | DO-35 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 25 V | 100 nA @ 30 V | 100 nA @ 23 V | 100 nA @ 23 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 200 mA | - | 1.5 V @ 200 mA | 1.1 V @ 200 mA |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 33 V | 39 V | 30 V | 30 V |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 58 Ohms | 80 Ohms | 49 Ohms | 49 Ohms |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW | 500 mW | 500 mW | 500 mW |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C (TA) | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 175°C (TJ) | 200°C (TJ) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bag | Bulk | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5257B PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N5257B - Microchip Technology
1N5259BNTE Electronics, IncDIODE ZENER 39V 500MW1N5256BMicrochip TechnologyDIODE ZENER1N5256BTaiwan Semiconductor CorporationDO-35, 500MW, 5%, SMALL SIGNAL Z
1N5256BTRonsemi1N5256 - ZENER DIODE, 30V, 5%, 0
1N5256BTRFairchild SemiconductorDIODE ZENER 30V 0.5W 5% UNIDIR1N5257BTaiwan Semiconductor CorporationDO-35, 500MW, 5%, SMALL SIGNAL Z
1N5259BonsemiDIODE ZENER 39V 500MW DO35
1N5256BSMC Diode SolutionsDIODE ZENER 30V 500MW DO351N5257BSMC Diode SolutionsDIODE ZENER 33V 500MW DO351N5259BTaiwan Semiconductor CorporationDO-35, 500MW, 5%, SMALL SIGNAL Z
1N5258B-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 36V 500MW DO351N5259BSMC Diode SolutionsDIODE ZENER 39V 500MW DO351N5256BNTE Electronics, IncDIODE ZENER 30V 500MW1N5257BNTE Electronics, IncDIODE ZENER 33V 500MW1N5259BMicrochip TechnologyDIODE ZENER1N5257BonsemiDIODE ZENER 33V 500MW DO351N5256BonsemiDIODE ZENER 30V 500MW DO351N5256BFairchild SemiconductorDIODE ZENER 30V 0.5W 5% UNIDIR| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที