ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5521B
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N5521B คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N5521B
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 4.3 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 mA | |
| ความอดทน | ±5% | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | |
| ชุด | MIL-PRF-19500/437 | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 18 Ohms | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 µA @ 1.5 V | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5521 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N5521B
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5521B | 1N5525BUR-1 | 1N5524B | 1N5523B |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 mA | 1.1 V @ 200 mA | 1.1 V @ 200 mA | 1.1 V @ 200 mA |
| ความอดทน | ±5% | ±5% | ±5% | ±5% |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | DO-213AA | DO-35 (DO-204AH) | DO-7 |
| ชุด | MIL-PRF-19500/437 | - | MIL-PRF-19500/437 | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 µA @ 1.5 V | 1 µA @ 5 V | 2 µA @ 3.5 V | 2 µA @ 2.5 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-213AA | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AA, DO-7, Axial |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW | 500 mW | 500 mW | 500 mW |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TA) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 18 Ohms | 30 Ohms | 30 Ohms | 26 Ohms |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5521 | - | 1N5524 | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 4.3 V | 6.2 V | 5.6 V | 5.1 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5521B PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N5521B - Microchip Technology
1N5551Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
1N5417-E3/54Electro-Films (EFI) / Vishay1N5418Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 3A B SQ-MELF1N5418JANTXAKK
1N5557Microchip TechnologyTVS DIODE 49VWM 78.5VC DO13
1N5416Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
1N5417-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 200V 3A SOD641N5551Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL1N5552Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL1N5418TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 400V 3A SOD641N5554JTXMOTO1N5525BUR-1Microchip TechnologyZENER DIODE1N5524BMicrochip TechnologyDIODE ZENER1N5418USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 3A D-5B
1N5448AMicro Connectors, Inc.1N5523BMicrochip TechnologyZENER DIODE
1N5450BAMI Semiconductor/onsemi1N5552Solid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที