ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N6097
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N6097 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N6097
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 600 mV @ 10 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-203AB (DO-5) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 mA @ 30 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 50A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N6097 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N6097
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N6097 | 1N6097 | 1N6097 | 1N6095R |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | GeneSiC Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | GeneSiC Semiconductor |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-203AB (DO-5) | DO-5 | DO-203AB (DO-5) | DO-4 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N6097 | 1N6097 | 1N6097 | 1N6095R |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky, Reverse Polarity |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 600 mV @ 10 A | 700 mV @ 50 A | 600 mV @ 10 A | 580 mV @ 25 A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 125°C | -55°C ~ 150°C |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 50A | 50A | 50A | 25A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 mA @ 30 V | 5 mA @ 30 V | 75 mA @ 30 V | 2 mA @ 20 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N6097 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N6097 - Microchip Technology
1N6097GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 50A DO5
1N6072ASolid State Inc.BIDIRECTIONAL TVS D0-131N6097Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 30V 50A DO203AB1N6095RGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY REV 30V 25A DO4
1N6098Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 50A DO5
1N6072AMicrochip TechnologyTVS DIODE 185VWM 328VC DO13
1N6097Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 30V 50A DO51N6098GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 50A DO51N6096Microchip TechnologySCHOTTKY RECTIFIER1N60G-A-AA3-RUTC1N60G-A/SOT-223UTC1N6094MICROPAC1N60AL-B-T92-KUTC1N6096GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 25A DO4
1N6075Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 850MA AXIAL1N6095Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 30V 25A DO203AA1N6095GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 25A DO41N6098Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 40V 50A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที