ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N6097
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N6097 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N6097
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 600 mV @ 10 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-203AB (DO-5) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 125°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 mA @ 30 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 50A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N6097 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N6097
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N6097 | 1N6096 | 1N6096 | 1N6097 |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 50A | 25A | 25A | 50A |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 600 mV @ 10 A | 580 mV @ 25 A | 600 mV @ 5 A | 600 mV @ 10 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 mA @ 30 V | 2 mA @ 20 V | 1.5 mA @ 40 V | 2 mA @ 30 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N6097 | 1N6096 | 1N6096 | 1N6097 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 125°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | 40 V | 40 V | 30 V |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-203AB (DO-5) | DO-4 | DO-203AA (DO-4) | DO-203AB (DO-5) |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N6097 PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ 1N6097 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N6096GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 25A DO41N6094MICROPAC1N6096Microchip TechnologySCHOTTKY RECTIFIER1N60G-AA3-RUTC
1N6072AMicrochip TechnologyTVS DIODE 185VWM 328VC DO131N6097Microchip TechnologySCHOTTKY RECTIFIER
1N6097Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 30V 50A DO51N6095Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 30V 25A DO203AA1N6095GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 25A DO41N6098Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 50A DO51N6098Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 40V 50A DO5
1N6075Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 850MA AXIAL1N60AL-B-T92-KUTC1N6097GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 50A DO51N6098GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 50A DO51N6095RGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY REV 30V 25A DO41N60G-A/SOT-223UTC1N60G-A-AA3-RUTC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที