ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 21FQ040
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 21FQ040 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 21FQ040
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 630 mV @ 30 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1.5 mA @ 40 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 30A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 21FQ040
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 21FQ040 | 1N5408G | BAT46GWX | MR1124 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | SMC Diode Solutions | Nexperia USA Inc. | Solid State Inc. |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 30A | 3A | 250mA | 12A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-201AD, Axial | SOD-123 | DO-203AA, DO-4, Stud |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | DO-201AD | SOD-123 | DO-4 |
| ชุด | - | - | Automotive, AEC-Q101 | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1.5 mA @ 40 V | 5 µA @ 1000 V | 9 µA @ 100 V | 500 µA @ 400 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | 150°C (Max) | -65°C ~ 190°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Box |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 30pF @ 4V, 1MHz | 39pF @ 0V, 1MHz | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Through Hole | Surface Mount | Stud Mount |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 630 mV @ 30 A | 1.1 V @ 3 A | 850 mV @ 250 mA | 1 V @ 12 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | 1000 V | 100 V | 400 V |
| เทคโนโลยี | Schottky | Standard | Schottky | Standard |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 21FQ040 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 21FQ040 - Microchip Technology
1N5408GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201ADBAT46GWXNexperia USA Inc.DIODE SCHOTTKY 100V 250MA SOD123MR1124Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 12A DO4
10BQ040TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AA
RGF1K-E3/67AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA
A399PDPowerex Inc.DIODE FAST 400A 1400V DO-200AA
1N2286Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 40A DO5
BAS16W-7-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 75V 150MA SOT323
21FVX-RSM1-GAN-ETFJST
MB120_R1_00001Panjit International Inc.DIODE SCHOTTKY 200V 1A SMB
21FQ045Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 30A DO4
RB160L-90TE25Rohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 90V 1A PMDS
SBR2A40P1-7Diodes IncorporatedDIODE SBR 40V 2A POWERDI1231N4588RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 200V 150A DO205AA21FXS-RSM1-GAN-F-TFJST21FQ030IRIGBT Module21FQ035Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 35V 30A DO4
NTS245SFT1GonsemiDIODE SCHOTTKY 45V 2A SOD123FL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที