ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 21FQ040
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 21FQ040 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 21FQ040
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 630 mV @ 30 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1.5 mA @ 40 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 30A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 21FQ040
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 21FQ040 | PDS340Q-13 | MMDL914T1G | R7S00612XX |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Diodes Incorporated | onsemi | Powerex Inc. |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 30A | 3A | 200mA | 1200A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | PowerDI™ 5 | SC-76, SOD-323 | DO-200AA, A-PUK |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | PowerDI™ 5 | SOD-323 | DO-200AA, R62 |
| ชุด | - | Automotive, AEC-Q101 | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1.5 mA @ 40 V | 500 µA @ 40 V | 5 µA @ 75 V | 50 mA @ 600 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | 4pF @ 0V, 1MHz | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Surface Mount | Surface Mount | Clamp On |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 630 mV @ 30 A | 490 mV @ 3 A | 1 V @ 10 mA | 1.6 V @ 1500 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | 40 V | 100 V | 600 V |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Standard | Standard |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 21FQ040 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 21FQ040 - Microchip Technology
PDS340Q-13Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 40V 3A POWERDI5MMDL914T1GonsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323R7S00612XXPowerex Inc.DIODE GP 600V 1200A DO200AA
MBR1045-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 45V 10A TO220AC
21FVX-RSM1-GAN-ETFJST
BAS70-02WE6327Infineon TechnologiesDIODE SCHOTTKY 70V 70MA SCD80-2
1N5397-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1.5A DO204AL
1N5391onsemiDIODE GEN PURP 50V 1.5A DO15
BAS316 RRGTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323
DFLS160-7Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 60V 1A PWRDI123
MBR0540T1onsemiDIODE SCHOTTKY 40V 0.5A SOD123
MBRA130LT3GonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 1A SMA
21FQ035Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 35V 30A DO4
DB2X20700LPanasonic Electronic ComponentsDIODE SCHOTTKY 20V 1A MINI2-F4-B
B240A-13-FDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 40V 2A SMA
TST10H100CWTaiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 100V 5A TO220AB
MBR1645Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 45V 16A TO220AC21FQ045Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 30A DO4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที