ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 21FQ045
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 21FQ045 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 21FQ045
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 630 mV @ 30 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 45 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1.5 mA @ 45 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 30A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 21FQ045
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 21FQ045 | 21FQ035 | HS183100 | MBR1635 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microsemi Corporation | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 30A | 30A | 180A | 16A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | 4800pF @ 5V, 1MHz | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 45 V | 35 V | 100 V | 35 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | - | -65°C ~ 150°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 (DO-203AA) | HALF-PAK | TO-220AC |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1.5 mA @ 45 V | 1.5 mA @ 35 V | 5 mA @ 100 V | 200 µA @ 35 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Chassis Mount | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 630 mV @ 30 A | 630 mV @ 30 A | 910 mV @ 180 A | 630 mV @ 16 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | HALF-PAK | TO-220-2 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Tube |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 21FQ045 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 21FQ045 - Microchip Technology
21FQ035Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 35V 30A DO4HS183100Microsemi CorporationDIODE SCHOTTKY 100V 180A HALFPAKMBR1635Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 35V 16A TO220AC1N2796Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 40A DO5BYT56M-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64
MDO500-18N1IXYSDIODE GEN PURP 1.8KV 560A Y1-CU
CDBU0245Comchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 200MA 0603 SO
S1FLM-GS08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB
1N5398Diotec SemiconductorDIODE STD DO-15 800V 1.5A
RF071L4STE25Rohm SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 1A PMDS
BAV116T-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 85V 100MA SOD523
1N3209Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 40A DO51N5404MDDDIODE GEN PURP 400V 3A DO27
MMSZ5235BSYangjie TechnologyDiodes - Rectifiers - Single SOD
LL103A-GS08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOT 40V 200MA SOD80
SBR3U40S1F-7Diodes IncorporatedDIODE SBR 40V 3A SOD123
21FVX-RSM1-GAN-ETFJST21FQ040Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 30A DO4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที