ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 51HQ040
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 51HQ040 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 51HQ040
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 600 mV @ 60 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 (DO-203AB) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 60A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | RoHS ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 51HQ040
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 51HQ040 | BAS116LP3-7 | SS26HE3/52T | 51HQ045 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Microchip Technology |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 3pF @ 0V, 1MHz | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 600 mV @ 60 A | 1.35 V @ 150 mA | 700 mV @ 2 A | 600 mV @ 60 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | 85 V | 60 V | 45 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 (DO-203AB) | X3-DFN0603-2 | DO-214AA (SMB) | DO-5 (DO-203AB) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 60A | 215mA | 2A | 60A |
| เทคโนโลยี | Schottky | Standard | Schottky | Schottky |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 150°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | 0201 (0603 Metric) | DO-214AA, SMB | DO-203AB, DO-5, Stud |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Surface Mount | Surface Mount | Stud Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 51HQ040 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 51HQ040 - Microchip Technology
BAS116LP3-7Diodes IncorporatedDIODE GP 85V 215MA X3-DFN0603-2SS26HE3/52TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AA51HQ045Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 60A DO5
EGP20G-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 2A DO204AC
70HFR10Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 70A DO551HQ035Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 35V 60A DO5
1N1396RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 50V 100A DO8
1N5819STMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO4151HQ035PBFIRIGBT Module51HQ030IRIGBT Module51HQ025IRIGBT Module
SS12P2LHM3/86AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 20V 12A TO277A
MB320_R1_00001Panjit International Inc.DIODE SCHOTTKY 200V 3A SMC
GP10JE-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
NRVUD320VT4GonsemiDIODE GEN PURP 200V 3A DPAK
RS3DB-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 3A SMC
SD453N16S20PCVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.6KV 400A B-8
DAN217CT116Rohm SemiconductorDIODE GEN PURP 80V 100MA SMD3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที