ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APT100DL60BG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - APT100DL60BG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - APT100DL60BG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.6 V @ 100 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT100DL60 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology APT100DL60BG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APT100DL60BG | APT100S20BG | APT10053LNRG | APT10050B2VRG |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | APT | APT |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | TO-247 [B] | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.6 V @ 100 A | 950 mV @ 100 A | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Schottky | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100A | 120A | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | - | - |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT100DL60 | APT100S20 | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 200 V | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-2 | TO-247-2 | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APT100DL60BG PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ APT100DL60BG - Microchip Technology
APT10053LNRGAPTAPT10050B2VRGAPTAPT100GF60JRDAPTIGBT Module
APT10045JLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOP
APT100GT60JRMicrochip TechnologyIGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOPAPT10090BLLGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 12A TO247APT100M50JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 103A SOT227APT10050LVRAPTAPT100F50JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 103A ISOTOPAPT10050JNAPTIGBT Module
APT100S20BMicrosemiAPT100GT60JRDQ4Microchip TechnologyIGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOPAPT100GT120JRDLAPTIGBT ModuleAPT100GN120JMicrochip TechnologyIGBT MOD 1200V 153A 446W ISOTOPAPT10090BLLAPTAPT100S20BGMicrochip TechnologyDIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247APT10045JNMicrosemiIGBT ModuleAPT10045LFLLGMicrosemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที