ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APT100GN120J
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - APT100GN120J คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - APT100GN120J
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.1V @ 15V, 100A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOTOP® | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 446 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | No | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 6.5 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100 µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 153 A | |
| องค์ประกอบ | Single | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT100 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology APT100GN120J
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APT100GN120J | APT100GT60JR | APT100GT60JRDQ4 | APT10050JN |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | APT |
| กทช Thermistor | No | No | No | - |
| อินพุต | Standard | Standard | Standard | - |
| องค์ประกอบ | Single | Single | Single | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.1V @ 15V, 100A | 2.5V @ 15V, 100A | 2.5V @ 15V, 100A | - |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 6.5 nF @ 25 V | 5.15 nF @ 25 V | 5.15 nF @ 25 V | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOTOP® | ISOTOP® | ISOTOP® | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT100 | APT100 | APT100 | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 446 W | 500 W | 500 W | - |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | NPT | NPT | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 153 A | 148 A | 148 A | - |
| ชุด | - | Thunderbolt IGBT® | Thunderbolt IGBT® | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 600 V | 600 V | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | ISOTOP | ISOTOP | - |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100 µA | 25 µA | 50 µA | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APT100GN120J PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ APT100GN120J - Microchip Technology
APT10050JNAPTIGBT ModuleAPT10053LNRGAPT
APT10090BLLGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 12A TO247
APT100M50JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 103A SOT227APT10090BLLAPTAPT100GF60JRDAPTIGBT ModuleAPT100DL60BGMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 100A TO247APT100GT60JRMicrochip TechnologyIGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOPAPT100F50JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 103A ISOTOPAPT100S20LCTGMicrochip TechnologyDIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264APT100GT120JRDLAPTIGBT ModuleAPT106N60B2C6Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 106A T-MAXAPT105-R95MOGAPTAPT100GT60JRDQ4Microchip TechnologyIGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOPAPT10050B2VRGAPTAPT100S20BGMicrochip TechnologyDIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247
APT100S20BMicrosemiAPT10050LVRAPT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที