ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APT100S20LCTG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - APT100S20LCTG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - APT100S20LCTG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 950 mV @ 100 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-264 [L] | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 70 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-264-3, TO-264AA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 mA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 120A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT100S20 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology APT100S20LCTG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APT100S20LCTG | APT10M07JVR | APT105-R95MOG | APT100F50J |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microsemi Corporation | APT | Microchip Technology |
| ชุด | - | POWER MOS V® | - | POWER MOS 8™ |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-264 [L] | ISOTOP® | - | ISOTOP® |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Chassis Mount | - | Chassis Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT100S20 | - | - | APT100 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-264-3, TO-264AA | SOT-227-4, miniBLOC | - | SOT-227-4, miniBLOC |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 70 ns | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 mA @ 200 V | - | - | - |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | - | - | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Schottky | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | - | Tube |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 950 mV @ 100 A | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 120A | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APT100S20LCTG PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ APT100S20LCTG - Microchip Technology
APT10M07JVRMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 100V 225A ISOTOPAPT105-R95MOGAPTAPT100F50JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 103A ISOTOP
APT100S20BMicrosemi
APT100GN120JMicrochip TechnologyIGBT MOD 1200V 153A 446W ISOTOPAPT10DC120HJMicrosemi CorporationBRIDGE RECT 1P 1.2KV 10A SOT227
APT10M11JVFRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 100V 144A ISOTOPAPT100M50JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 103A SOT227APT106N60B2C6Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 106A T-MAXAPT100GF60JRDAPTIGBT ModuleAPT10M07JVFRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 100V 225A ISOTOPAPT106N60LC6Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 106A TO264APT100GT60JRMicrochip TechnologyIGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOPAPT10M07APTIGBT ModuleAPT100S20BGMicrochip TechnologyDIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247APT10M09JVRMicrosemiIGBT ModuleAPT100GT60JRDQ4Microchip TechnologyIGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOPAPT100GT120JRDLAPTIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที