ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APT30GT60BRG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - APT30GT60BRG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - APT30GT60BRG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.5V @ 15V, 30A | |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 30A, 10Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 12ns/225ns | |
| การสลับพลังงาน | 525µJ (on), 600µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 [B] | |
| ชุด | Thunderbolt IGBT® | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 250 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | NPT | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 145 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 110 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 64 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT30GT60 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology APT30GT60BRG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APT30GT60BRG | APT30GP60BG | APT30GT60BRDQ2G | APT30M19JVR |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT30GT60 | APT30GP60 | APT30GT60 | APT30M19 |
| ประเภท IGBT | NPT | PT | NPT | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 [B] | TO-247 [B] | TO-247 [B] | ISOTOP® |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 12ns/225ns | 13ns/55ns | 12ns/225ns | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | SOT-227-4, miniBLOC |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 250 W | 463 W | 250 W | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.5V @ 15V, 30A | 2.7V @ 15V, 30A | 2.5V @ 15V, 30A | - |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 30A, 10Ohm, 15V | 400V, 30A, 5Ohm, 15V | 400V, 30A, 10Ohm, 15V | - |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 145 nC | 90 nC | 7.5 nC | - |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 110 A | 100 A | 110 A | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | - |
| การสลับพลังงาน | 525µJ (on), 600µJ (off) | 260µJ (on), 250µJ (off) | 80µJ (on), 605µJ (off) | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 64 A | 100 A | 64 A | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Chassis Mount |
| ชุด | Thunderbolt IGBT® | POWER MOS 7® | Thunderbolt IGBT® | POWER MOS V® |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APT30GT60BRG PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ APT30GT60BRG - Microchip Technology
APT30M19JVRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 300V 130A ISOTOPAPT30M30B2LLAPTAPT30GP60BGMicrochip TechnologyIGBT 600V 100A 463W TO247APT30GT60BRDAPTAPT30GT60BRDQ2GMicrochip TechnologyIGBT 600V 64A 250W TO247APT30GT60BRAPTAPT30M30JLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 300V 88A ISOTOPAPT30M36LFLLGAPT
APT30M30B2FLLMicrosemiAPT30GP60JDF1APTIGBT ModuleAPT30GT60BRDQ2APTAPT30M36LLLAPTIGBT ModuleAPT30GT60BRDGMicrochip TechnologyIGBT 600V 30A TO247
APT30GP60JDQ1Microsemi CorporationIGBT MODULE 600V 67A 245W ISOTOPAPT30GP60J1DF1MicrosemiIGBT ModuleAPT30M40JVFRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 300V 70A ISOTOPAPT30M30ALLAPTIGBT ModuleAPT30M36B2LLGMicrosemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที