ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APT30GP60JDQ1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microsemi Corporation - APT30GP60JDQ1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microsemi Corporation - APT30GP60JDQ1
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 30A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOTOP® | |
| ชุด | POWER MOS 7® | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 245 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | No | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 3.2 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | PT | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500 µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 67 A | |
| องค์ประกอบ | Single | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT30GP60 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microsemi Corporation APT30GP60JDQ1
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APT30GP60JDQ1 | APT30GN60BG | APT30GT60BRG | APT30GT60BRDG |
| ผู้ผลิต | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 3.2 nF @ 25 V | - | - | - |
| อินพุต | Standard | - | - | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 67 A | 63 A | 64 A | - |
| ประเภท IGBT | PT | Trench Field Stop | NPT | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | TO-247-3 | TO-247-3 | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 245 W | 203 W | 250 W | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT30GP60 | APT30GN60 | APT30GT60 | APT30 |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Through Hole | Through Hole | - |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500 µA | - | - | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 30A | 1.9V @ 15V, 30A | 2.5V @ 15V, 30A | - |
| กทช Thermistor | No | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOTOP® | TO-247 [B] | TO-247 [B] | - |
| องค์ประกอบ | Single | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ชุด | POWER MOS 7® | - | Thunderbolt IGBT® | * |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APT30GP60JDQ1 PDF และเอกสาร Microsemi Corporation สำหรับ APT30GP60JDQ1 - Microsemi Corporation
APT30GN60BGMicrochip TechnologyIGBT 600V 63A 203W TO247APT30GT60BRGMicrochip TechnologyIGBT 600V 64A 250W TO247APT30GT60BRDGMicrochip TechnologyIGBT 600V 30A TO247
APT30GT60BRDQ2APTAPT30M30ALLAPTIGBT Module
APT30M30B2FLLMicrosemiAPT30GT60BRAPTAPT30GN60BDQ2GMicrochip TechnologyIGBT 600V 63A 203W TO247APT30GT60BRDQ2GMicrochip TechnologyIGBT 600V 64A 250W TO247APT30GP60BDQ1APTIGBT Module
APT30M19JVRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 300V 130A ISOTOPAPT30GN60BDQ2APTAPT30GP60BDQ1GMicrochip TechnologyIGBT 600V 100A 463W TO247APT30GT60BRDAPTAPT30GP60BMICROSEAPT30GP60J1DF1MicrosemiIGBT ModuleAPT30GP60JDF1APTIGBT ModuleAPT30GP60BGMicrochip TechnologyIGBT 600V 100A 463W TO247| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที