ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APT40DQ100BG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - APT40DQ100BG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - APT40DQ100BG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 3 V @ 40 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 [B] | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 250 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 40A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT40DQ100 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology APT40DQ100BG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APT40DQ100BG | APT40DQ60BG | APT40DQ120BG | APT38N60BC6 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-2 | TO-247-2 | TO-247-2 | TO-247-3 |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 250 ns | 25 ns | 350 ns | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ชุด | - | - | - | CoolMOS™ |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | MOSFET (Metal Oxide) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 3 V @ 40 A | 2.4 V @ 40 A | 3.3 V @ 40 A | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | 600 V | 1200 V | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT40DQ100 | APT40DQ60 | APT40DQ120 | APT38N60 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 40A | 40A | 40A | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 1000 V | 25 µA @ 600 V | 100 µA @ 1200 V | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 [B] | TO-247 [B] | TO-247 [B] | TO-247 [B] |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APT40DQ100BG PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ APT40DQ100BG - Microchip Technology
APT38N60BC6Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 38A TO247
APT39M60JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 42A ISOTOPAPT38F80B2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 800V 41A T-MAXAPT40DQ60BGMicrochip TechnologyDIODE GP 600V 40A TO247APT40DQ60BCTGMicrochip TechnologyDIODE ARRAY GP 600V 40A TO247APT40G100ANAPTAPT40DQ120BGMicrochip TechnologyDIODE GP 1.2KV 40A TO247
APT40GP60JMicrochip TechnologyIGBT 600V 86A 284W SOT227
APT4012BVRMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 400V 37A TO247ADAPT40DR160HJMicrochip TechnologyBRIDGE RECT 1P 1.6KV 40A SOT227APT40GF120JRDMicrochip TechnologyIGBT NPT COMBI 1200V 40A ISOTOPAPT40DQ120BAPTAPT38F80LMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 41A TO264APT4080ANAPTAPT38M50JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 38A ISOTOPAPT40GP60BGMicrochip TechnologyIGBT 600V 100A 543W TO247APT40DC120HJMicrosemi CorporationBRIDGE RECT 1P 1.2KV 40A SOT227APT38F50JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที