ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APT40GF120JRD
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - APT40GF120JRD คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - APT40GF120JRD
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 3.4V @ 15V, 50A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227 (ISOTOP®) | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 390 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | No | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 3.45 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500 µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 60 A | |
| องค์ประกอบ | Single | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT40 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology APT40GF120JRD
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APT40GF120JRD | APT40GP60J | APT40GP90J | APT40GP90JDQ2 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227 (ISOTOP®) | ISOTOP® | ISOTOP® | ISOTOP® |
| อินพุต | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 60 A | 86 A | 68 A | 64 A |
| ชุด | - | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 3.45 nF @ 25 V | 4.61 nF @ 25 V | 3.3 nF @ 25 V | 3.3 nF @ 25 V |
| ประเภท IGBT | - | PT | PT | PT |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | ISOTOP | SOT-227-4, miniBLOC | ISOTOP |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 390 W | 284 W | 284 W | 284 W |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT40 | APT40GP60 | APT40GP90 | APT40GP90 |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 600 V | 900 V | 900 V |
| กทช Thermistor | No | No | No | No |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 3.4V @ 15V, 50A | 2.7V @ 15V, 40A | 3.9V @ 15V, 40A | 3.9V @ 15V, 40A |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500 µA | 250 µA | 250 µA | 350 µA |
| องค์ประกอบ | Single | Single | Single | Single |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APT40GF120JRD PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ APT40GF120JRD - Microchip Technology
APT40G100ANAPT
APT40DR160HJMicrochip TechnologyBRIDGE RECT 1P 1.6KV 40A SOT227APT40GP60JMicrochip TechnologyIGBT 600V 86A 284W SOT227APT40DC120HJMicrosemi CorporationBRIDGE RECT 1P 1.2KV 40A SOT227APT40DQ120BAPTAPT40GP90JMicrochip TechnologyIGBT MODULE 900V 68A 284W ISOTOPAPT4080ANAPT
APT40GP90B2DQ2GMicrochip TechnologyIGBT 900V 101A 543W TMAXAPT40DQ100BGMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 40A TO247APT40GP90JDQ2Microchip TechnologyIGBT MODULE 900V 64A 284W ISOTOPAPT40DQ120BGMicrochip TechnologyDIODE GP 1.2KV 40A TO247APT40DQ60BGMicrochip TechnologyDIODE GP 600V 40A TO247APT40GR120B2D30Microchip TechnologyIGBT 1200V 88A 500W TO247APT40DQ60BCTGMicrochip TechnologyDIODE ARRAY GP 600V 40A TO247
APT40GR120B2SCD10Microsemi CorporationIGBT 1200V 88A 500W TO247APT40GP60BGMicrochip TechnologyIGBT 600V 100A 543W TO247APT40GP90JDF2MicrosemiIGBT ModuleAPT40GP60BAPT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที