ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APT50GP60J
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - APT50GP60J คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - APT50GP60J
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 50A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOTOP® | |
| ชุด | POWER MOS 7® | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 329 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | No | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 5.7 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | PT | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500 µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 A | |
| องค์ประกอบ | Single | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT50GP60 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology APT50GP60J
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APT50GP60J | APT50GF60JU2 | APT50GF60JU3 | APT50GT120JU2 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microsemi Corporation | Microchip Technology |
| ชุด | POWER MOS 7® | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 1200 V |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500 µA | 40 µA | 40 µA | 5 mA |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | ISOTOP | ISOTOP | ISOTOP |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT50GP60 | - | - | - |
| องค์ประกอบ | Single | Single | Single | Single |
| อินพุต | Standard | Standard | Standard | Standard |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 329 W | 277 W | 277 W | 347 W |
| ประเภท IGBT | PT | NPT | NPT | Trench Field Stop |
| กทช Thermistor | No | No | No | No |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 5.7 nF @ 25 V | 2.25 nF @ 25 V | 2.25 nF @ 25 V | 3.6 nF @ 25 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Bulk | Bulk |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOTOP® | SOT-227 | SOT-227 | SOT-227 |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 A | 75 A | 75 A | 75 A |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 50A | 2.7V @ 15V, 50A | 2.7V @ 15V, 50A | 2.1V @ 15V, 50A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APT50GP60J PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ APT50GP60J - Microchip Technology
APT50GN60BDQ2GMicrochip TechnologyIGBT 600V 107A 366W TO247APT50GF60JU2Microchip TechnologyIGBT MODULE 600V 75A 277W SOT227APT50GS60BRDQ2GMicrochip TechnologyIGBT 600V 93A 415W TO247APT50GF60JU3Microsemi CorporationIGBT MODULE 600V 75A 277W SOT227
APT50GF60HRAPTIGBT ModuleAPT50GN60BDQ3GMicrochip TechnologyIGBT FIELDSTOP COMBI 600V 50A TOAPT50GP60B2DQ2APTAPT50GR120LMicrochip TechnologyIGBT 1200V 117A 694W TO264APT50GT60BRDQ2GMicrochip TechnologyIGBT 600V 110A 446W TO247APT50GF60LRDAPTIGBT ModuleAPT50GT120JU2Microchip TechnologyIGBT MOD 1200V 75A 347W SOT227APT50GR120B2Microchip TechnologyIGBT 1200V 117A 694W TO247APT50GT120JU3Microchip TechnologyIGBT MOD 1200V 75A 347W SOT227APT50GT120JRDQ2Microchip TechnologyIGBT MOD 1200V 72A 379W ISOTOPAPT50GN120B2GMicrochip TechnologyIGBT 1200V 134A 543W TO-247APT50GN60BGMicrochip TechnologyIGBT 600V 107A 366W TO247APT50GT60BRGMicrochip TechnologyIGBT 600V 110A 446W TO247APT50GN120B2MICROSE| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที