ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APT50GF60JU3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microsemi Corporation - APT50GF60JU3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microsemi Corporation - APT50GF60JU3
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 50A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 277 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | ISOTOP | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | No | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 2.25 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | NPT | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 40 µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 75 A | |
| องค์ประกอบ | Single |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microsemi Corporation APT50GF60JU3
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APT50GF60JU3 | APT50GF60JU2 | APT50GF120JRD | APT50GP60J |
| ผู้ผลิต | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 75 A | 75 A | 75 A | 100 A |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 1200 V | 600 V |
| ประเภท IGBT | NPT | NPT | - | PT |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227 | SOT-227 | SOT-227 (ISOTOP®) | ISOTOP® |
| อินพุต | Standard | Standard | Standard | Standard |
| กทช Thermistor | No | No | No | No |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | ISOTOP | ISOTOP | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Tube | Tube |
| องค์ประกอบ | Single | Single | Single | Single |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| ชุด | - | - | - | POWER MOS 7® |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 50A | 2.7V @ 15V, 50A | 3.4V @ 15V, 50A | 2.7V @ 15V, 50A |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 40 µA | 40 µA | 750 µA | 500 µA |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 2.25 nF @ 25 V | 2.25 nF @ 25 V | 3.45 nF @ 25 V | 5.7 nF @ 25 V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 277 W | 277 W | 460 W | 329 W |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APT50GF60JU3 PDF และเอกสาร Microsemi Corporation สำหรับ APT50GF60JU3 - Microsemi Corporation
APT50GF60JU2Microchip TechnologyIGBT MODULE 600V 75A 277W SOT227
APT50GP60B2DQ2APTAPT50GN120B2MICROSEAPT50GF60HRAPTIGBT ModuleAPT50GF120JRDMicrochip TechnologyIGBT NPT COMBI 1200V 50A ISOTOP
APT50GN60BGMicrochip TechnologyIGBT 600V 107A 366W TO247APT50GN120B2GMicrochip TechnologyIGBT 1200V 134A 543W TO-247APT50GN60BDQ3GMicrochip TechnologyIGBT FIELDSTOP COMBI 600V 50A TOAPT50GF60BRAPTAPT50GP60JMicrochip TechnologyIGBT MOD 600V 100A 329W ISOTOPAPT50GP60JDF2APTIGBT ModuleAPT50GF120JRDQ3Microchip TechnologyIGBT MOD 1200V 120A 521W ISOTOPAPT50GN60BDQ2GMicrochip TechnologyIGBT 600V 107A 366W TO247APT50GF120LRGMicrochip TechnologyIGBT 1200V 135A 781W TO264APT50DF170HJMicrochip TechnologyBRIDGE RECT 1P 1.7KV 50A SOT227APT50GF100BNAPTIGBT ModuleAPT50GF60LRDAPTIGBT ModuleAPT50GF60B2RDAPTIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที