ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APTGF90A60T1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - APTGF90A60T1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - APTGF90A60T1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.5V @ 15V, 90A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SP1 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 416 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SP1 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | Yes | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 4.3 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | NPT | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 250 µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 110 A | |
| องค์ประกอบ | Half Bridge |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology APTGF90A60T1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APTGF90A60T1G | APTGLQ80HR120CT3G | APTGF75DA60D1G | APTGF75SK60D1G |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation |
| องค์ประกอบ | Half Bridge | - | Single | Single |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 416 W | 500 W | 355 W | 355 W |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SP1 | SP3 | D1 | D1 |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 110 A | 150 A | 100 A | 100 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 1200 V | 600 V | 600 V |
| อินพุต | Standard | Standard | Standard | Standard |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.5V @ 15V, 90A | 2.4V @ 15V, 80A | 2.45V @ 15V, 75A | 2.45V @ 15V, 75A |
| ประเภท IGBT | NPT | Trench Field Stop | NPT | NPT |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 250 µA | 150 µA | 500 µA | 500 µA |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 4.3 nF @ 25 V | 4.6 nF @ 25 V | 3.3 nF @ 25 V | 3.3 nF @ 25 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SP1 | SP3 | D1 | D1 |
| กทช Thermistor | Yes | Yes | No | No |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Through Hole | Chassis Mount | Chassis Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APTGF90A60T1G PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ APTGF90A60T1G - Microchip Technology
APTGF50X60P2GAPTIGBT ModuleAPTGF50X60RTP3GAPTIGBT ModuleAPTGLQ80HR120T3GMicrosemiAPTGF50X60E2APTIGBT ModuleAPTGL475U120DAGMicrosemiAPTGF90X60TE3GAPTIGBT ModuleAPTGLQ80HR120CT3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1200V 150A 500W SP3APTGF660U60D4APTIGBT ModuleAPTGF75DA60D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 600V 100A 355W D1APTGF75A60D1GAPTIGBT ModuleAPTGLQ100HR120GMicrosemiIGBT ModuleAPTGF50X60E2GAPTIGBT ModuleAPTGF75SK60D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 600V 100A 355W D1APTGF90A60D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE NPT PHASE LEG D1APTGL240TL120GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1200V 305A 1000W SP6APTGLQ40HR120T3GMicrosemiIGBT ModuleAPTGLQ200HR120CGMicrosemiIGBT ModuleAPTGF90SK60D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 600V 130A 445W D1| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที