ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APTGF90SK60D1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microsemi Corporation - APTGF90SK60D1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microsemi Corporation - APTGF90SK60D1G
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Microsemi | |
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.45V @ 15V, 100A | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D1 | |
ชุด | - | |
เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 445 W | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | D1 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
กทช Thermistor | No | |
ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 4.3 nF @ 25 V | |
อินพุต | Standard | |
ประเภท IGBT | NPT | |
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500 µA | |
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 130 A | |
องค์ประกอบ | Single |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microsemi Corporation APTGF90SK60D1G
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | APTGF90SK60D1G | APTGL240TL120G | APTGF90A60T1G | APTGF75SK60D1G |
ผู้ผลิต | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology | Microsemi Corporation |
อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | -40°C ~ 150°C (TJ) |
เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 445 W | 1000 W | 416 W | 355 W |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
องค์ประกอบ | Single | Three Level Inverter | Half Bridge | Single |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D1 | SP6 | SP1 | D1 |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | D1 | SP6 | SP1 | D1 |
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 4.3 nF @ 25 V | 12.3 nF @ 25 V | 4.3 nF @ 25 V | 3.3 nF @ 25 V |
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500 µA | 2 mA | 250 µA | 500 µA |
ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
ประเภท IGBT | NPT | Trench Field Stop | NPT | NPT |
กทช Thermistor | No | No | Yes | No |
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.45V @ 15V, 100A | 2.2V @ 15V, 200A | 2.5V @ 15V, 90A | 2.45V @ 15V, 75A |
ชุด | - | - | - | - |
อินพุต | Standard | Standard | Standard | Standard |
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 130 A | 305 A | 110 A | 100 A |
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 1200 V | 600 V | 600 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APTGF90SK60D1G PDF และเอกสาร Microsemi Corporation สำหรับ APTGF90SK60D1G - Microsemi Corporation
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที