ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี JAN1N5814R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - JAN1N5814R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - JAN1N5814R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 950 mV @ 20 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-203AA (DO-4) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | MILITARY, MIL-PRF-19500/478 | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 20A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 300pF @ 10V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology JAN1N5814R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | JAN1N5814R | JAN1N5711-1 | JAN1N5617 | JAN1N5816 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns | - | 150 ns | 35 ns |
| ชุด | MILITARY, MIL-PRF-19500/478 | Military, MIL-PRF-19500/444 | Military, MIL-PRF-19500/429 | MILITARY, MIL-PRF-19500/478 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-203AA (DO-4) | DO-35 | A, Axial | DO-203AA (DO-4) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 20A | 33mA | 1A | 20A |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Through Hole | Through Hole | Chassis, Stud Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 70 V | 400 V | 150 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Schottky | Standard | Standard |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-204AH, DO-35, Axial | A, Axial | DO-203AA, DO-4, Stud |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 950 mV @ 20 A | 1 V @ 15 mA | 1.6 V @ 3 A | 950 mV @ 20 A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 300pF @ 10V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz | - | 300pF @ 10V, 1MHz |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 100 V | 200 nA @ 70 V | 500 nA @ 400 V | 10 µA @ 150 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล JAN1N5814R PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ JAN1N5814R - Microchip Technology
JAN1N5711-1Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35JAN1N5828MSCIGBT ModuleJAN1N5829MSCIGBT Module
JAN1N5711MicrosemiJAN1N5617Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 1A AXIALJAN1N5813MicrosemiIGBT ModuleJAN1N5816Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 20A DO203AAJAN1N5832MSCIGBT ModuleJAN1N5812Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA
JAN1N5647AMicrochip TechnologyTVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO13JAN1N5639AMicrochip TechnologyTVS DIODE 15.3VWM 25.2VC DO13JAN1N5814Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 20A DO203AAJAN1N5813RMicrosemiIGBT ModuleJAN1N5830MSCIGBT ModuleJAN1N5816RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 20A DO203AAJAN1N5806Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIALJAN1N5831MSCIGBT ModuleJAN1N5827MSCIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที