ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี JAN1N5816
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - JAN1N5816 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - JAN1N5816
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 950 mV @ 20 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-203AA (DO-4) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | MILITARY, MIL-PRF-19500/478 | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 150 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 20A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 300pF @ 10V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology JAN1N5816
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | JAN1N5816 | JAN1N5812 | JAN1N5806 | JAN1N5816R |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Through Hole | Stud Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | A, Axial | DO-203AA, DO-4, Stud |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 20A | 20A | 2.5A | 20A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns | 35 ns | 25 ns | 35 ns |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 150 V | 10 µA @ 50 V | 1 µA @ 150 V | 10 µA @ 150 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 950 mV @ 20 A | 950 mV @ 20 A | 975 mV @ 2.5 A | 950 mV @ 20 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-203AA (DO-4) | DO-203AA (DO-4) | A, Axial | DO-203AA (DO-4) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | 50 V | 150 V | 150 V |
| ชุด | MILITARY, MIL-PRF-19500/478 | MILITARY, MIL-PRF-19500/478 | Military, MIL-PRF-19500/477 | MILITARY, MIL-PRF-19500/478 |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 300pF @ 10V, 1MHz | 300pF @ 10V, 1MHz | 25pF @ 10V, 1MHz | 300pF @ 10V, 1MHz |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล JAN1N5816 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ JAN1N5816 - Microchip Technology
JAN1N5829MSCIGBT ModuleJAN1N5812Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 20A DO203AAJAN1N5806Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIALJAN1N5832MSCIGBT Module
JAN1N5815MicrosemiIGBT ModuleJAN1N5816RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 20A DO203AAJAN1N5814Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 20A DO203AAJAN1N5813RMicrosemiIGBT ModuleJAN1N5815RMicrosemiIGBT ModuleJAN1N5830MSCIGBT ModuleJAN1N5828MSCIGBT ModuleJAN1N5711-1Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35JAN1N5834MSCIGBT ModuleJAN1N5813MicrosemiIGBT ModuleJAN1N5833MSCIGBT ModuleJAN1N5827MSCIGBT ModuleJAN1N5814RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 20A DO203AAJAN1N5831MSCIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที