ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี JAN1N6306
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - JAN1N6306 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - JAN1N6306
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.18 V @ 150 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 (DO-203AB) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 60 ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 150 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 70A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology JAN1N6306
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | JAN1N6306 | JAN1N6391 | JAN1N6306R | JAN1N6304 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 (DO-203AB) | DO-203AA (DO-4) | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 (DO-203AB) |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.18 V @ 150 A | 680 mV @ 50 A | 1.18 V @ 150 A | 1.18 V @ 150 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 60 ns | - | 60 ns | 60 ns |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 150 V | 1.5 mA @ 45 V | 25 µA @ 150 V | 25 µA @ 50 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Schottky | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 70A | 22.5A | 70A | 70A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ชุด | - | Military, MIL-PRF-19500/553 | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | 45 V | 150 V | 50 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล JAN1N6306 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ JAN1N6306 - Microchip Technology
JAN1N755ASiemens
JAN1N6039AMicrochip TechnologyTVS DIODE 8.5VWM 14.5VC DO13JAN1N754A-1Microchip TechnologyDIODE ZENER 6.8V 500MW DO35JAN1N647CAKKJAN1N5907Microchip TechnologyTVS DIODE 5VWM 8.5VC DO13JAN1N6391Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 22.5A DO203AAJAN1N6306RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 70A DO5JAN1N645DASMicrel / Microchip TechnologyJAN1N6100CXPNSCJAN1N753AMSCJAN1N753A-1Microchip TechnologyDIODE ZENER 6.2V 500MW DO35JAN1N6304Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 70A DO5JAN1N6304RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 70A DO5JAN1N6305RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 70A DO5JAN1N5834MSCIGBT Module
JAN1N748AMicrosemiJAN1N6392Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 54A DO203ABJAN1N6305Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 70A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที