ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี JAN1N6306R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - JAN1N6306R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - JAN1N6306R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.18 V @ 150 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 (DO-203AB) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 60 ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 150 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 70A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology JAN1N6306R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | JAN1N6306R | JAN1N6304 | JAN1N6305R | JAN1N6306 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 150 V | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 100 V | 25 µA @ 150 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.18 V @ 150 A | 1.18 V @ 150 A | 1.18 V @ 150 A | 1.18 V @ 150 A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 60 ns | 60 ns | 60 ns | 60 ns |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | 50 V | 100 V | 150 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 (DO-203AB) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 70A | 70A | 70A | 70A |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล JAN1N6306R PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ JAN1N6306R - Microchip Technology
JAN1N6304Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 70A DO5
JAN1N5907Microchip TechnologyTVS DIODE 5VWM 8.5VC DO13JAN1N647CAKKJAN1N6305RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 70A DO5JAN1N753AMSCJAN1N6100CXPNSCJAN1N6306Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 70A DO5JAN1N943B-1Microchip TechnologyDIODE ZENER 11.7V 500MW DO35JAN1N753A-1Microchip TechnologyDIODE ZENER 6.2V 500MW DO35JAN1N6039AMicrochip TechnologyTVS DIODE 8.5VWM 14.5VC DO13JAN1N6392Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 54A DO203ABJAN1N645DASMicrel / Microchip TechnologyJAN1N6391Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 22.5A DO203AAJAN1N754A-1Microchip TechnologyDIODE ZENER 6.8V 500MW DO35JAN1N755ASiemensJAN1N6304RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 70A DO5
JAN1N748AMicrosemiJAN1N6305Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 70A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที