ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี JANS1N5711UB
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - JANS1N5711UB คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - JANS1N5711UB
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 15 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | UB | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | Military, MIL-PRF-19500/444 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SMD, No Lead | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 nA @ 50 V | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology JANS1N5711UB
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | JANS1N5711UB | JANS1N5822US | JANS1N6642 | JANS1N5806 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 nA @ 50 V | - | 500 nA @ 75 V | 1 µA @ 150 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 15 mA | 500 mV @ 3 A | 1.2 V @ 100 mA | 875 mV @ 1 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | UB | B, SQ-MELF | - | A, Axial |
| ชุด | Military, MIL-PRF-19500/444 | Military, MIL-PRF-19500/620 | Military, MIL-PRF-19500/578 | Military, MIL-PRF-19500/477 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SMD, No Lead | SQ-MELF, B | DO-204AH, DO-35, Axial | A, Axial |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | 40 V | 75 V | 150 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz | - | 5pF @ 0V, 1MHz | 25pF @ 10V, 1MHz |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Standard | Standard |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล JANS1N5711UB PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ JANS1N5711UB - Microchip Technology
JANS1N4107-1Microchip TechnologyZENER DIODEJANS1N5822USMicrochip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELFJANS1N6642Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 300MA DO204AH
JANS1N4491Microchip TechnologyZENER DIODE
JANS1N4106UR-1Microchip TechnologyZENER DIODEJANS1N5806Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A AXIALJANS1N4622UR-1Microchip TechnologyZENER DIODEJANS1N5819UR-1Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213ABJANS1N5615USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 1A A SQ-MELF
JANS1N5806USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A D-5AJANS1N5811USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELFJANS1N6642UBCCMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP UBJANS1N5615Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 1A AXIALJANM38510/12602BEASGJANM38510/29104BJAHAR
JANS1N5819-1Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41JANS1N4107UR-1Microchip TechnologyZENER DIODE
JANS1N6117AMicrochip TechnologyTVS DIODE 22.8VWM 41.6VC B AXIAL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที